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IPB77N06S212ATMA2
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Datenblatt
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Infineon
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Produktcode
IPB77N06S212ATMA2
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001061294
Generic PN
IPB77N06S
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
CPD_260_22
Last Time Buy
3-31-2023
Last Time Ship
9-30-2023
Package Type
TO-263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99