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HGT1S7N60C3DS
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Manufacturer:Harris
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

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Harris
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Produktcode
HGT1S7N60C3DS
Manufacturer
Harris
Generic PN
HGT1S7N60
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
Package Type
TO-263AB-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Quantity
50
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT
US HTS Code
8541.29.0095
ECCN
EAR99

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