Wir beobachten die Entwicklungen im Nahen Osten – der Betrieb bleibt unverändert. Erfahren Sie mehr ➜
NachrichtenKontaktAnmelden
Einkaufswagen: leer
FP100R07N3E4BOSA1
Auf Lager
Das genaue Produktbild finden Sie im Produktdatenblatt.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel

Datenblatt
Beitrag teilen
Ihr Preis:$84.46(€72.64)
Mehr kaufen und sparen! Siehe Preistabelle.
Infineon
Auf Lager: 19
$84.46(€72.64)|
Preise
MengeEinzelpreis25-99$84.46(€72.64)100-499$80.24(€69.01)500-999$76.01(€65.37)1000-9999$71.79(€61.74)10000+$67.57(€58.11)
Preise, Verfügbarkeit und Lieferzeiten können zum Zeitpunkt der Bestellung überprüft werden.
Produktcode
FP100R07N3E4BOSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000843244
Generic PN
FPXR07N3G
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
AG-ECONO3B-411
Package Pin Count
0
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tray
Packaging Quantity
10
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT Module
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99