Rochester bietet nun ISSI DRAM-, FLASH- und SRAM-Speicherprodukte

ISSI_campaign_Oct2020ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc., und Rochester Electronics haben sich zusammengeschlossen, um ein breites Spektrum von ISSI-Speicherprodukten zu fördern. Vor Kurzem wurden entsprechende Bestände für einige Produktlinien erhalten. Im Rahmen unseres langfristigen und erweiterten Lifecycle-Supports ist es wichtig, nicht nur die Kerngeräte zu schützen, sondern auch die dazugehörigen Geräte, die nicht im Design inbegriffen sind. Diese ISSI-Speicherprodukte stellen eine starke Ergänzung der Mikropozessoren, DSPs und anderen Schlüsselprodukte, die Rochester bereits unterstützt, dar.

Unser ISSI-Bestand umfasst nun ihre DRAM-, FLASH- und SRAM-Speicherprodukte. 

Unser ISSI DRAM-Angebot umfasst Standard-Sync DRAM, DDR-, DDR2- und DDR3 DRAMs sowie RLDRAM2 mit niedriger Latenz, jeweils mit Dichten von 16Mb, 64Mb und 256Mb. Diese Produkte sind die erste Speicherwahl für die Code- und Datenspeicherung in zahlreichen integrierten Systemen, die anspruchsvolle Anwendungen im Medizin-, Industrie- und Militärbereich umfassen.

ISSI SRAM von Rochester umfasst Standard-, Hochgeschwindigkeits- und Endgeräte mit geringem Stromverbrauch und Dichten von 1Mb, 2Mb und 4Mb. Die Geräte werden für zahlreiche Anwendungen genutzt, die schnellen Zugang zum Speicher benötigen. Sie umfassen Geräte, die höchste Leistung benötigen, z.B. für Pufferung und Cache, sowie Geräte, für die ein geringer Stromverbrauch wichtig ist, z.B. Mobilgerätanwendungen.

Unsere ISSI FLASH-Speicher stammen aus der Reihe Quad Serial FLASH mit Dichten von 2Mb und 4Mb. Sie unterstützen die serielle Industriestandard-SPI-Schnittstelle, die eine geringere Pin-Anzahl und kleinere Pakete ermöglicht. Die Geräte werden in verschiedenen Anwendungen für Code-Shadowing auf RAM, für XIP-Vorgänge (Execute in place) und für die Speicherung von nichtflüchtigen Daten eingesetzt.

Durchsuchen Sie jetzt den ISSI-Speicherbestand

Erfahren Sie mehr über die Partnerschaft von Rochester und ISSI

Weitere Mitteilungen lesen